[研究会概要]
　本研究会は、中国四国支部内のII-VI族化合物半導体研究者が一同に介し、特に大学院学生を中心とした若手研究者の研究発表と討論とを行うことを目的として開催される。
　平成10年度（鳥取県大山、鳥取大学担当）、
　平成11年度（岡山県蒜山、岡山理科大学担当）、
　平成12年度（山口県宇部市、山口大学担当）、
　平成13年度（愛媛県松山市、愛媛大学担当）
に引き続き、本年度が第5回目の開催となる。
　本研究会では、その研究発表内容を完成した研究成果に限定することなく、若手研究者が直面している研究途上の諸問題や、その問題解決のための独自の考え等を含めた 発表を中心に行う。
　 フォーマルな学会とは異なる雰囲気の中で、若手研究者の独創的な考えに基づいた討論が行われることが期待される。　また、相互に情報を交換することにより、参加者各自が今後の研究活動に関する指針や研究遂行上の知見を得ることを期待して企画されている。

[研究会開催予定日、予定場所]
平成14年8月5日（月）、6日（火） 会場：高知工科大学
懇親会（宿泊）：竜河温泉

[発表予稿提出要領]

[連絡先]
代表幹事　山本哲也　高知工科大学工学部電子・光システム工学科
連絡先：TEL 0887-57-2112 FAX 0887-57-2120
yamamoto.tetsuya@kochi-tech.ac.jp

副幹事　　岸本誠一　高知工業高等専門学校　電気工学科
連絡先：TEL 088-864-5551 FAX 088-864-5541
kishi@ee.kochi-ct.ac.jp

第一日目　８月５日(月)
13:30-14:15　基調講演
「薄膜表面・界面の評価技術」
高知工科大学　成沢忠
14:20-14:45　減圧MOCVD法によるZnS系量子井戸構造の成長
山口大学　山口順三、三好和也、山田陽一、田口常正
14:45-15:10　ZnSSe/GaAsヘテロ接合太陽電池に関する研究
鳥取大学　武田能満、西口健吾、足立真寛、石倉仁志、
阿部友紀、笠田洋文、安東孝止
15:10-15:35　Li添加ZnSの分子線エピタキシャル成長と評価
鳥取大学　松木義幸、西川朋永、市野邦男、北川雅彦、小林洋志
15:35-16:00　ZnS:N,Ag,Inエピタキシャル層の光学的特性
高知高専　岸本誠一
(休憩)
16:15-16:40　青-紫外線光波帯ZnSSe系Avalanche Photodiode（APD）の開発
鳥取大学　前田裕康、久保田知明、井汲克之、藤原龍也、
成瀬純次、石倉仁志、阿部友紀、笠田洋文、安東孝止
16:40-17:05　ZnSSe:Te DH構造・青−緑色発光ダイオードの高効率化
鳥取大学　藤田祐介、李鴻燦、金子延容、益本毅、谷川巧、
井上昇、足立真寛、阿部友紀、笠田洋文、安東孝止
17:05-17-30　エキシマレーザ照射とゾルゲル法を用いた酸化亜鉛薄膜の合成と
その緑色発光特性
(独)産業技術総合研究所　長瀬智美
　 (懇親会)　竜河温泉　19:00 より

第二日目　8月6日(月)
9:00- 9:40　CuGaS2結晶のフォトルミネッセンス
　　　 愛媛大学　白方祥
9:50-10:15　(BaxSr1-x)TiO3薄膜の強誘電体特性
高知工科大学　白川宰、杉野友紀、西田謙、河東田隆
10:15-10:40　LEPS-InxGa1-xN混晶薄膜の吸収スペクトル
山口大学　佐々木千治、内藤裕義、山田陽一、田口常正
三菱電線　城市隆秀、岡川広明、只友一行、田中鉱幸
10:40-11:05　RF-MBE法によるバルクGaN単結晶上へのホモエピタキシャル成長
山口大学　久保秀一、岩田史郎、小西将史、倉井聡、田口常正
11:05-11:30　衛星用太陽電池InGaP素子の電子線照射欠陥の電気的特性
−非発光電子-正孔再結合特性と欠陥促進反応−
鳥取大学　足立真寛、井上昇、堤泰之、阿部友紀、笠田洋文、安東孝止