印刷による発表

“Removal of ZrO2 phase in PZT thin films for nonvolatile memories grown using plasma-assisted CVD at a low temperature”
K. Nishida, G. Matsuoka, K. Shirakata, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Proceeding of Tenth Inter. Conf. on Comp./Nano Eng., (2003) 519 - 520.

“An orientation ratio and ferroelectric properties of ultra-thin PTO films”
K. Nishida, T. Sugino, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Appl. Surf. Sci., 216 (2003) 312 - 317.

“Growth mechanism of PTO on MgO at initial stage”
K. Nishida, K. Shirakata, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Appl. Surf. Sci., 216 (2003) 323 - 328.

“Effect of the substrate on properties of PTO thin film”
K. Nishida, G. Matuoka, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Appl. Surf. Sci., 216 (2003) 318 - 322.

“Effects of the number of periods on strain in superlattice”
K. Nishida, S. Hagiwara, M. Teranishi, O. Sirakawa, A. Hiraki, and T. Katoda, J. Appl. Phys., 91 8 (2002) 5155 - 5157.

“Role of titanium silicide at the early stage of growth of TiO2 on a silicon substrate”
K. Morisawa, K. Nishida, A. Hiraki, S. Muraishi and T. Katoda, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 5640 -5644.

“Self-organization at semiconductor hetero-interface including strain and control of electronic states by size effect and stress”
K. Nishida, M. Teranishi, A. Hiraki, and T. Katoda, 1st Inter. Sympo. on Nanoarchitectonics using Superinteractions, (2000) 141 - 144.

“In-situ monitoring of PE-CVD growth of TiO2 films with laser Raman spectroscopy”
K. Nishida, K. Morisawa, A. Hiraki, S. Muraishi and T. Katoda, Appl. Surf. Sci., 159/160 (2000) 143 - 148.

“Epitaxial growth of GaN layers with double-buffer layers”
K. Uchida, K. Nishida, M. Kondo, H. Munekata, J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 270 - 274.

“Characterization of double-buffer layers and its application for the metalorganic vapor phase epitaxial growth of GaN”
K. Uchida, K. Nishida, M. Kondo, H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 3882 - 3888.

“Heteroepitaxy of GaN and Related materials with a novel two-flow MOVPE horizontal reactor”
K. Nishida, K. Uchida, M. Kondo, H. Kukimoto and H. Munekata, Appl. Surf. Sci. 117/118 (1997) 530 - 535.

“MOVPE of GaN Using a Specially Designed Two-Flow Horizontal Reactor”
K. Nishida, S. Haneda, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, J. Cryst. Growth 170 (1997) 312 - 315.

“Growth of GaN with a specially Designed Two- Flow Horizontal MOVPE Reactor”
K. Nishida, S. Haneda, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, Proceedings of the International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (1996) 518 - 521.

国際発表

“Preparation and characterization of ultra-thin PZT films grown by plasma-assisted CVD”
K. Nishida, K. Shirakata, M. Osada, T. Katoda Twelfth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, WESTIN MAUI, Lahaina, USA, May 30-June 4.

“Removal of ZrO2 phase in PZT thin films for nonvolatile memories grown using plasma-assisted CVD at a low temperature”
K. Nishida, G. Matsuoka, K. Shirakata, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Tenth International Conference on Composites/Nano Engineering, WYNDHAM at Canal Place Hotel, New Orleans, USA, 20-26 July 2003.

“An orientation ratio and ferroelectric properties of ultra-thin PTO films”
K. Nishida, T. Sugino, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Fourth International Symposium on the Control of the Semiconductor Interface P2-14, Karuizawa Prince Hotel, Nagano, Japan, 21 - 25 October 2002.

“Growth mechanism of PTO on MgO at initial stage”
K. Nishida, K. Shirakata, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Fourth International Symposium on the Control of the Semiconductor Interface P2-16, Karuizawa Prince Hotel, Nagano, Japan, 21 - 25 October 2002.

“Effect of the substrate on properties of PTO thin film”
K. Nishida, G. Matuoka, M. Osada, M. Kakihana and T. Katoda, Appl. Surf. Sci., Fourth International Symposium on the Control of the Semiconductor Interface P2-15, Karuizawa Prince Hotel, Nagano, Japan, 21 - 25 October 2002.

“Self-organization at semiconductor hetero-interface including strain and control of electronic states by size effect and stress”
K. Nishida, M. Teranishi, A. Hiraki, and T. Katoda, 1st Inter. Sympo. on Nanoarchitectonics using Superinteractions, 141 - 144, Agency of Industrial Science and Technology Tsukuba Research Center, Chiba, Japan, 13 - 15 November, 2000.

“In-situ monitoring of PE-CVD growth of TiO2 films with laser Raman spectroscopy”
K. Nishida, K. Morisawa, A. Hiraki, S. Muraishi and T. Katoda, Third International Symposium on the Control of the Semiconductor Interface A8-3, Karuizawa Prince Hotel, Nagano, Japan, 25 - 29 October, 1999.

“Heteroepitaxy of GaN and Related materials with a novel two-flow MOVPE horizontal reactor”
K. Nishida, K. Uchida, M. Kondo, H. Kukimoto and H. Munekata, Second International Symposium on the Control of the Semiconductor Interface B2-2, Karuizawa Prince Hotel, Nagano, Japan, 28 October - 1 November, 1996.

“MOVPE of GaN Using a Specially Designed Two-Flow Horizontal Reactor”
K. Nishida, S. Haneda, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, 8th International conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, OKSP.6, Cardiff International Arena, Cardiff, Wales, UK, 9 -13 June, 1996.

“Growth of GaN with a specially Designed Two- Flow Horizontal MOVPE Reactor”
K. Nishida, S. Haneda, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, We-P29, University Convention Center, Chiba University, Japan, 5 - 7 March, 1996

国内発表

“SEM-RAMAN複合評価装置による炭化絶縁被覆の分析”
三好志郎、西田謙、河東田隆、 平成16年度日本火災学会研究発表会 C11 平成16年5月20日〜21日　東京理科大学

“プラズマCVD法によるPZT極薄膜の作製と評価”
西田謙、白方健、松岡学、長田実、垣花眞人、河東田隆、2004年第51回春期応用物理学会関連講演会　29p-ZL-16　平成2003年3月28日〜31日　東京工科大学

“SEM-RAMAN複合評価装置による炭化絶縁被覆の分析〜第二報〜”
三好志郎、西田謙、河東田隆、 日本鑑識科学技術学会第９回学術集会 J4 2003年11月6日〜7日　ホテルフロラシオン青山

“プラズマCVD法によるPZT成長の低温化とZrO2の除去“
白方健、松岡学、西田謙、長田実、垣花眞人、河東田隆、2003年第64回秋期応用物理学会関連講演会　2a-V-7 2003年8月30日〜9月2日　福岡大学

“(BaxSr1-x)TiO3薄膜の組成及び膜厚による結晶構造及び応力の変化“
杉野友紀、西田謙、河東田隆、2003年第64回秋期応用物理学会関連講演会　2003年8月30日〜9月2日　30a-T-3 福岡大学

“プラズマCVD法によるPZT薄膜の作製と物性評価”
白方健、西田謙、松岡学、長田実、垣花眞人、河東田隆、2003年第50回春期応用物理学会関連講演会　29p-R-1　平成2003年3月27日〜30日　神奈川大学

“URT-IP法により作製した多結晶Ga doped-ZnO薄膜のラマン分光法による評価”
西田謙、河野巧、酒見俊之、粟井清、山本哲也、河東田隆、2003年第50回春期応用物理学会関連講演会　27a-S-3　2003年3月27日〜30日　神奈川大学

“SEM-RAMAN複合評価装置による炭化絶縁被服の分析”
三好志郎、西田謙、河東田隆、日本鑑識科学技術学会第８回学術集会　G-5　2002年11月7日〜8日　ホテルフロラシオン青山

“Pt/MgO基板上に成長したチタン酸鉛薄膜の初期状態と電気的特性の相関”
杉野友紀、西田謙、白方健、河東田隆、2002年第63回秋期応用物理学会関連講演会　26a-p10-24　2002年9月24日〜27日　新潟大学

“(BaxSr1-x)TiO3薄膜の強誘電特性”
白川宰、杉野友紀、西田謙、河東田隆、第5回中国四国II-VI族半導体若手研究会　2002年8月5日　高知工科大学

“MgO基板上に成長したチタン酸鉛薄膜の初期状態に関する考察”
西田謙、松岡学、熊谷耕一、白方健、杉野友紀、長田実、河東田隆、2002年第49回春期応用物理学会関連講演会　27a-ZA-2　2002年3月27日〜30日　東海川大学

“イオンプレーティング法で作成したZnO薄膜のラマン分光法による評価”
寺西正臣、西田謙、酒見俊之、粟井清、山本哲也、河東田隆、2002年第49回春期応用物理学会関連講演会　28p-YA-17　2002年3月27日〜30日　東海川大学

“SEM-RAMANを用いたイオン注入ダイヤモンドの評価”
安部 智規　西田 謙　河東田 隆、2002年第49回春期応用物理学会関連講演会　27p-YD-13　2002年3月27日〜30日　東海川大学

“下部電極Ptの配向面の違いがPbTiO3薄膜に及ぼす効果”
松岡　学、前田　裕子、森澤 桐彦、西田 謙、平木 昭夫、河東田 隆、2001年第48回春期応用物理学会関連講演会　31p-YA-6　2001年3月28日〜31日　明治大学

“Pt下部電極の配向性がBaTiO3薄膜の残留応力及び電気的特性に及ぼす効果”
白川宰、前田裕子、森澤桐彦、西田謙、平木昭夫、河東田隆、2001年第48回春期応用物理学会関連講演会　29p-N-10　2001年3月28日〜31日　明治大学

“下地層によるTiO2成長過程および物性の制御”
熊谷耕一、前田裕子、森澤桐彦、西田謙、平木昭夫、河東田隆、2001年第48回春期応用物理学会関連講演会　30p-N-16　2001年3月28日〜31日　明治大学

“下地層のPTO薄膜特性に与える影響”
西田謙、森沢桐彦、平木昭夫、河東田隆、2000年第61回秋期応用物理学会関連講演会、6a-p10-3　2000年9月3日〜7日　北海道大学

“酸化物誘電体の“その場”観察による成長初期過程の考察”
森澤桐彦、西田謙、平木昭夫、河東田隆、2000年電気通信学会のシリコン材料・デバイス研究会　2000年3月8日　高知工科大学

“MgO基板を用いたPbTiO3エピタキシャル薄膜の成長初期過程の考察”
森澤桐彦、西田謙、平木昭夫、河東田隆、2000年第47回春期応用物理学会関連講演会　29a-P7-30　2000年3月28日〜31日　青山学院大学

“TiO2薄膜の成長モード変化と応力の相関”
森澤桐彦、西田謙、平木昭夫、河東田隆、1999年第60回秋期応用物理学会関連講演会、4p-C-7　1999年9月1日〜4日　甲南大学

“ラマン分光法を用いたTiO2薄膜のその場観察成長”
西田謙、森澤桐彦、村石修一、河東田隆、1999年第46回春季応用物理学会関連講演会　28a-ZS-3　1999年3月28日〜31日　東京理科大学

“プラズマMOCVD法によるTiO2薄膜の作製”
森澤桐彦、西田謙、河東田隆、1999年第46回春季応用物理学会関連講演会　28a-ZS-4　1999年3月28日〜31日　東京理科大学

河東田 隆

1)“ MgO基板上に成長したチタン酸鉛薄膜の初期状態に関する考察”
西田、松岡、熊谷、白方、杉野、長田、河東田、2002年第49回春季応用物理学会関連講演会　27a-ZA-2

2)“SEM-RAMANを用いたイオン注入ダイヤモンドの評価”
安部、西田、河東田、2002年第49回春季応用物理学会関連講演会　27p-YD-12

3)“イオンプレーティング法で作成したZnO薄膜のラマン分光法による評価”
寺西、西田、酒見、粟井、山本、河東田、2002年第49回春季応用物理学会関連講演会　28p-YA-17

4)“下部電極Ptの配向面の違いがPbTiO3薄膜に及ぼす影響”
松岡、森澤、西田、平木、河東田、2001年第48回春季応用物理学会関連講演会　31p-YA-2

5)“下地層によるTi2成長過程および物性の制御”
熊谷、前田、森澤、西田、平木、河東田、2001年第48回春季応用物理学会関連講演会　30p-N-2

6)“Pt下部電極の配向性がBaTiO3薄膜の残留応力及び電気特性に及ぼす効果”
白川、前田、森澤、西田、平木、河東田、2001年第48回春季応用物理学会関連講演会　29p-N-2

7)“SEM-RAMAN複合評価装置による炭化絶縁被覆の分析”
三好志郎、西田謙、河東田隆、平成16年度日本火災学会研究発表会 C11 平成16年5月　29p-N-2

6)“SEM-RAMAN複合評価装置による炭化絶縁被覆の分析〜第二報〜”
三好志郎、西田謙、河東田隆、日本鑑識科学技術学会第９回学術集会 J4 2003年11月6日〜7日　ホテルフロラシオン青山

6) Pt下部電極の配向性がBaTiO3薄膜の残留応力及び電気特性に及ぼす効果
白川、前田、森澤、西田、平木、河東田、2001年第48回春季応用物理学会関連講演会　29p-N-2

7)“Effects of elastic stress introduced by a silicon nitride cap on solid-phase crystallization of amorphous silicon”
Y. Kimura, M. Kishi and T. Katoda, Journal of Applied Physics, Vol. 86, No. 4 (1999) P. 2278 -- 2280.

8)“Effects of stress on generation of P-line defects near insulator-silicon interface”
Yoshihiro Uozumi and T. Katoda, Applied Surface Science, 177/188 (1997) P. 624--628.

9)“Optical characterization of tin diffusion and defect generation in strained GaAs”
A. B. M. Harun-ur Rashid and T. Katoda, Journal of Applied Physics, Vol. 81, No. 4 (1997) P.1661--1669.

10)“Raman Spectroscopic Analysis of Stress on GaAs-SiO2 Interface and the Effect of Stress on Tin Diffusion in GaAs”
A. B. M. Harun-ur Rashid, M. Kishi and T. Katoda, Journal of Applied Physics, Vol. 80, No. 6 (1996) P. 3540--3545.

11)“Charactrization of Czochralski Silicon Wafers Grown at a Low Growth Rate by Photoluminescence Spectroscopy”
M. Hamada and T. Katoda, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, Part 1, No. 1A (1996) P. 182--185.

12)“Charactrization of surface recombination velocity of InP reduced by sulfur-treatment and phosphorous-nitride film formation with Raman spectroscopy”
T. Hanajiri, Y. Matsumoto, T. Sugano and T. Katoda, Proc. of 7th. Int. Conf. on InP and Related Materials, (1995) P. 585--588.

13)“In situ obsevation of the strain in GaP on Si during cooling step after growth by Raman spectroscopy”
M. Sugiura, M. Kishi and T. Katoda, Journal of Applied Physics, Vol. 77, No. 8 (1995) P. 4009--4012.

14)“成長のカイネティクス研究用その場観察レーザラマン分光システムの開発と歪みの評価”
河東田 隆、岸 眞人、杉浦 政幸、日本結晶成長学会誌、Vol. 21, No. 5 (1994) P. S149--S154.

15)“Charactrization of stress generated in poly-crystalline silicon during thermal oxidation with laser Raman spectroscopy”
M. Kawata and T. Katoda, Journal of Apllied Physics, Vo. 75, No. 11 (1994) P. 7456--7459.

16)--半導体基礎物性--、--半導体評価技術--
河東田 隆、応用物理データブック　1994、P. 401, 438.

特許
1) 河東田 隆、特願平 5--23275 「レーザラマン分光による半導体プロセスその場観察装置」
2) 河東田 隆、特許第 1209816号 「半導体のアニーリング処理における制御方法」
3) 河東田 隆、特許第 1209815号 「アニーリング処理における半導体の検査方法」