バイポーラトランジスタ (BJT)

NPN型(図１)とPNP型(図２)がある． ベースを制御端子として，ベース電流によりエミッタからコレクタに流れるメジャーキャリアの量を制御し，それによってコレクタ電流を制御する素子である． エミッタとベース間のPN接合を矢印で表してエミッタとする．コレクタとエミッタを区別するのは，コレクタ側とエミッタ側で不純物濃度が異なるためである． 印刷物では縦線を太くしてしてあることが多いが，手書きでは細い線でよい． エミッタをあらわす矢印は塗りつぶされたものであることもあるが，手書きでは図１（b），図２（b）のような線でよい．

図１(b)，図２(b)は，古くから使われている記号で，コレクタをあらわす線とエミッタをあらわす線が接しているが， 規格での記号は図１(c)，図２(c)のような離れている．また，図１(b)，図２(b)を 丸でかこった図３(a),(b)のような記号が使われることもある．

図４(a)は光が入るとコレクタ電流が流れるフォトトランジスタである．ベース接合に入射された光によって電流が流れる． 増幅度があるため普通のフォトダイオードと異なり弱い光にも反応する． 図４(b)は，集積回路等の内部で使われる複数のエミッタを持つトランジスタ(Multi-Emitter Transistor)である.