電力用MOS FET (Power MOS FET)

図１,図２,図３は電力用MOS FETに用いられる記号である． 電力用MOS FETはソース，ドレインが非対称な構造であることが多く，ソース端子を明確に表すことができる記号が用いられる． これは，大電流を流すために基板の表面に対して垂直な方向に電流をが流れる構造となっているものが多いためである． このような構造では基板電極端子がソース端子に接続されているので，基板電極端子がソース側に接続されている記号を用いることが多い．

図１(a),(b)と図２(a),(b)の違いは， エンハンスメント型であることを強調するための切れ目が入っているかどうかである． 電力用MOS FETは，スイッチング素子として用いられるためエンハンスメント型であると考えてよい． また，ゲート・ソース間の保護用のツェナーダイオードやソース・ドレイン間にボディダイオード あるいはフライホイールダイオードと呼ばれるダイオードを内蔵したものがある．

図３(a),(b)はソース，ドレイン間にダイオードがつけられた記号である．