2005年以前の論文に関してはここをクリック
＜著作＞
1.「電子･イオンビームハンドブック」、日刊工業新聞社刊、1998
担当分野：レーザビームによる集積回路の加工と修正
2.「半導体用語大辞典」、分担執筆、日刊工業新聞社刊、1999
担当分野：故障解析、診断、信頼性項目
3.「LSIテスティングハンドブック」、LSIテステイング学会編、株式会社オーム社、2008/11/15
担当分野：テスト設計:1.5 IDDQテスティング
4.「新版 信頼性ハンドブック」、日本信頼性学会編、株式会社日科技連、2014/60/30
編集委員 担当分野：第V章序章
＜論文＞
1.
眞田 克
[解説論文]“電源電流を用いたDSM LSIの評価技術の変遷”,
IEICE Fundamentals Review Vol.5,No.4,2012 April, p.293-301
2.
Mamoru Furuta, Member, IEEE, Toshiyuki Kawaharamura, Takayuki Uchida, Dapeng Wang, and Masaru Sanada,
“High-Performance Solution-Processed InGaZnO Thin-Film Transistor Fabricated by Ozone-Assisted
Atmospheric Pressure Mist Deposition”,
JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, Vol. Issues pp.-, 2013
3.
内田 貴之、川原村 敏幸、古田 守、眞田 克
“ミストCVD法によるAlOxh薄膜作製に対する03支援の効果”,
Journal of The Society of Materials Science Japan,Vol.62,No.11, Nov. 2013, p.663-667
＜国際学会＞
1.
N.Toyota, X.Wen, S.Kajihara and M.Sanada,
“On Quantifying Observability for Fault Diagnosis of VLSI Circuits”,
IEEE 6th Workshop on RTL and High Level Testing Digest of Papers(WRTLT’05), pp.192-197, July 20-21, 2005
2.
M.Sanada and Y.Yoshizawa
“Fault diagnosis technology based on transistor behavior analysis for physical analysis”,
Microelectronics Reliability, Vol.46 Issues 9- 11 pp.1575-1580, 2006
3.
Y. Sato1, K. Sugiura1, R. Shimoda1, Y. Yoshizawa1, K. Norimatsu1 and M. Sanada,
“Defect Diagnosis -Reasoning Methodology-”,
IEEE 15th Asian Test Symposium, pp.209-214, 2006
4.
M.Sanada,
“Voltage-based fault path tracing by transistor operating point analysis”,
Microelectronics Reliability, Vol.48 Issues 8-9 pp.1533-1538, 2008
5.
M.Sanada,
“Easy Diagnosis Technology based on Voltage Value for DSM LSI - Quick & Easy Diagnosis Method for Candidate Fault Portion Detection -”,
Semocondacutor Technology Symposium, Vol. Issues pp.-, 2010
＜LSIテステイングシンポジウム＞
1.(参考）
眞田 克(STARC)、則松 研二
“スイッチングレベルシミュレーションを用いた組合せ回路内故障箇所の特定”,
LSIテスティングシンポジウム/2004会議録, p.235-240
2.
豊田 直哉、温 暁青、梶原 誠司、眞田 克
“故障診断のための観測性の定量化に ついて”,
LSIテスティングシンポジウム/2005会議, p.201-206
3.
眞田 克、吉澤 豊、則松 研二
“スイッチング・レベル・シミュレーションを用いたセル内故障診断技術−リーク故障が論理動作に与える影響−”,
LSIテスティングシンポジウム/2005会議録, p.225-230
4.
吉澤 豊、則松研二、佐藤康夫、二階堂正人、眞田 克
“スイッチング・レベル・シミュレーションを用いたセル内故障診断技術−故障動作と診断精度の検証−”,
LSIテスティングシンポジウム/2005会議録, p.231-236
5.
眞田 克
“トランジスタ動作点の解析による故障論理の追跡”,
LSIテスティングシンポジウム/2006会議録, p.205-210
6.
眞田 克、中村 朋矢、橋田 啓示
“トランジスタ動作点解析による故障論理の追跡−フィードバック故障による発振現象の取得−”,
LSIテスティングシンポジウム/2007会議録, p.251-256
7.
眞田 克
“ショート故障抵抗値の導入による診断精度の向上−電圧値ベースによるセル内診断への適用−”,
LSIテスティングシンポジウム/2008会議録, p.183-188
8.
橋田 啓示、眞田 克
“オープン故障がもたらす電気的特性の評価・解析”,
LSIテスティングシンポジウム/2008会議録,p.195-199
9.
眞田 克、橋田 啓示、安富泰輝
“レーザ及び、電界を用いたオープン故障回路の出力論理の固定化”,
LSIテスティングシンポジウム/2009会議録,p.233-238
10.
眞田 克、岸 敬和、安富泰輝
“DSMに対する簡易な故障箇所特定方式−IDDQ異常個所候補と論理情報を用いた診断−”,
LSIテスティングシンポジウム/2010会議録,p.181-186
11.
岸 敬和、眞田 克
“ゲート電圧に同期したTr-Z値の連続変化モデルの導入による診断精度の向上”,
LSIテスティングシンポジウム/2011会議録,p.215-220
12.
安富泰輝、眞田 克
“レーザ照射によるゲートオープン故障の出力論理の固定化メカニズム”,
LSIテスティングシンポジウム/2011会議録,p.237-241
13.
松岡将史、西出正道、金 鎭雄、田井丈嗣、河東田隆、眞田 克、舟窪 浩、西田 謙、山本 孝
“その場観察ラマン分光法によるPb (Zr, Ti) O3マイクロカンチレバーの動作・故障解析”,
LSIテスティングシンポジウム/2012会議録,p.157-162
14.
内田 貴之、川原村 敏幸、古田 守、眞田 克
“酸化物半導体の低温化プロセスに向けた、ミストCVD法によるAlOxゲート酸化膜の評価”,
LSIテスティングシンポジウム/2012会議録,p.163-168
15.
眞田 克、坂本俊輔
“欠陥の成長に伴うIDDQ値の挙動とその検出”,
ナノテスティングシンポジウム/2013会議録,p.149-154
＜電子情報通信学会技術研究報告＞
1.
眞田 克
[招待論文]“トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定−リーク故障が論理動作に与える影響−”,
信学技報Vol.106,No.377,R2006-31, 2006
2.
眞田 克、中村 朋矢、橋田 啓示
“トランジスタ動作点解析による故障論理の追跡−フィードバック故障による発振現象の取得−”,
信学技報Vol.107,No.213,R2007-30, 2007
3.
山崎規雄、眞田 克
“簡易ＥＳＤ装置の開発とその適用検討−ＥＳＤ破壊現象の特定−”,
信学技報Vol.107,No.485,EMD2007-114, 2008
4.
眞田 克
“LSIの評価・解析を通した品質意識の向上−大学での試み−”,
信学技報Vol.106,No.377,R2008-19, 2008
5.
眞田 克、橋田 啓示、安富泰輝
“開放故障に伴う不安定論理の固定化−簡易な故障診断技術を目指して−”,
信学技報Vol.109,No.315,VLD2009-64,DC2009-51(2009-12), 2009
6.
岸 和敬、眞田 克
“DEFデータの視覚化による故障箇所候補の特定”,
信学技報Vol.109,No.315,VLD2009-53,DC2009-40(2009-12), 2009
7.
坂本 俊輔、眞田 克
“IDDQを用いたLSIの劣化兆候の検出”,
信学技報Vol.110,No.416,EMD-2010-147(2011-02), 2011
8.
安富泰輝、眞田 克
“開放故障に伴う不安定論理の固定化”,
信学技報Vol.110,No.416,EMD-2010-148(2011-02), 2011
9.
岸 和敬、眞田 克
“CMOSトランジスタの動作点解析による故障箇所の特定”,
信学技報Vol.111,No.33,R2011-14(2011-05), 2011
10.
眞田 克、伊藤 誠吾
“準静電界センシングによるLSI内部構造の評価”,
信学技報Vol.113,No.186,R2013-41(2013-08), 2013
＜講演会＞
１.
眞田 克
“微細化・多層配線構造化に進展するLSIの故障診断と解析技術について”,
STARCテスト設計活動報告 主催：半導体理工学研究センター2006/3/24
2.
眞田 克
“リーク故障が論理動作に与える影響−IDDQ診断からTrレベル診断開発に到る経緯−”,
ルネサス特別講演会 主催：ルネサスセミコンダクター社（武蔵事業所） 2006/12/27
3.
眞田 克
“ソフトウェアを用いた故障診断技術-多層化、微細化LSIに対する故障解析へのアシスト技術-”,
第17回半導体ワークショップ【光技術と半導体]Z】-主催：浜松フォトニクス- 2005/06/24-25
4.
眞田 克
“故障箇所候補特定のための簡易な診断法-電圧値ベースによる故障診断技術-”,
第1回半導体テストソリューション研究会−設計におけるテスト品質−
主催：財団法人 福岡県産業･科学技術振興財団- 2009/08/20
5.
眞田 克
“LSIの特性変動がもたらす電源電流の変化-LSI評価への適用-”,
第20回高温エレクトロニクス研究会 -主催：独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部- 2010/03/24
6.
眞田 克
“簡易な故障診断技術を目指して-外部刺激印加による不安定論理の安定化-”,
第22回半導体ワークショップ【光技術と半導体】光による半導体故障解析 多様化する半導体の故障解析技術に向けて-主催：浜松フォトニクス- 2010/06/24
7.
Masaru Sanada
"Easy Diagnosis Technology based on Voltage Value for DSM LSI -Quick & Easy Diagnosis Method for Candidate Fault Portion Detection-"
SEMICON Japan Session Testing
8.
眞田 克
“電子デバイスの信頼性・保全性−電流が教える劣化の兆候−”,
2011年度第１回フォーラム「信頼性・安全性に関する特別セミナー」−信頼性・安全性を学ぶ方および若い技術者･研究者の方へ−主催：日本信頼性学会 2011/09/12（東京開催）
9.
眞田 克
“電子デバイスの信頼性・保全性”,
2011年度第2回フォーラム「信頼性・安全性に関する特別セミナー」−信頼性・安全性技術に携わる技術者･研究者の方へ−主催：日本信頼性学会 2011/02/03（高知開催）
10.
眞田 克
“LSIの劣化著効の検出-”,
STARCワークショップ2013【未来の半導体とその限りなき応用分野】-主催：半導体理工学研究センター- 2013/09/12
11.
眞田 克
“信頼性工学で解き明かす平家一門の衰退”,
第5回横幹連合コンファレンス論文集,2E-22,p.486-489,主催：横断型基幹科学技術研究団体連合- 2013/12/21-22
12.
眞田 克、伊藤 誠吾
“準静電界を用いたLSIの評価・解析方式-”,
STARCワークショップ2014【未来の半導体とその限りなき応用分野】-主催：半導体理工学研究センター- 2014/09/03
＜日本信頼性学会＞
1.
眞田 克
“品質意識は実社会との交流でもたらされる−大学でのLSI 評価・解析を通した試み−”,
日本信頼性学会誌「信頼性特集号」Vol.31,No.5,pp.200-206, 2009.5月号
2.
眞田 克
“素子レベルによる故障診断技術−故障LSIの物理解析のためのアシスト技術−”,
日本信頼性学会誌 特集「LSIのテスト･評価技術」Vo.31, No.7, pp.548-555, 2009.10月号
3.
眞田 克
“電源電流を用いたLSI評価法は再びよみがえるか？”,
日本信頼性学会誌 展望「電子デバイスの信頼性技術」Vo.32, No.7, pp.498-507, 2010.11月号
4.眞田 克
“LSIの信頼性と保全性ー電流が教える劣化の兆候−”,
日本信頼性学会誌 展望「2011年第1回フォーラムより〜信頼性・安全性に関する特別セミナー〜」Vo.33, No.7, pp.335-345, 2011.11月号
＜FTC研究会＞
1.
坂本 俊輔、眞田 克
“電源電流を用いたLSI劣化の顕在化”,
第65回FTC研究会（琵琶湖）2012/07
2.
眞田 克
“LSI品質はどのように保障されるか?”,
第69回FTC研究会（山口）2014/07
休憩"ひよどりの子育て”